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2-4英寸磷化铟单晶片

       磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料,具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。

 

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