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碳化硅-MOSFET晶体管


       碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET)使用第三代宽禁带半导体材料碳化硅制作,应用于各种开关电路和功率模块。碳化硅具有硅材料十倍以上的临界电场强度,三倍的禁带宽度和三倍的热导率,因而SiC MOSFET在相同功率等级下有更低的导通电阻,更高的工作频率,开关损耗大幅降低,高温特性好,可大幅减小功率模块的体积和提高在高温工作下的稳定性。


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