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2英寸碳化硅单晶片
       碳化硅是性能优异的第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,本征温度高,电子饱和漂移速度高等优点。sic器件在高温、高频、大功率、高电压光电子及抗辐照等方面具有优势,在航空、航天、石油勘探、光存储、显示以及白光照明等领域具有巨大应用前景,并将为电力电子技术带来革命性的巨变。
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3英寸碳化硅单晶片
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4英寸碳化硅单晶片
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6英寸碳化硅单晶片
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碳化硅MOSFET-最新博彩白菜论坛网址规格书-CGE1M120080-TO247
1200V/80mΩ碳化硅MOSFET-CGE1M120080-TO247
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